Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа А3В5

  • Leonid I. Gretchikhin Minsk state higher aviation kollege, Minsk, Republic of Belarus
Ključne reči: semiconductor laser||, ||poluprovodnički laser, nanocluster level||, ||nanoklasterni nivo, generation||, ||generisanje,

Sažetak


U članku se obrazlaže formiranje klasterne rešetkaste strukture poluprovodničkog kristala tipa A3B5. Predstavljen je način deformacije elektronskih opni atoma koji su u sastavu elemenata poluprovodničke kristalne strukture. Na primeru kristala iz jedinjenja indijuma i elemenata pete grupe Mendeljejeve tablice, utvrđeno je među kakvim energetskim nivoima dolazi do generisanja poluprovodničkog kvantnog generatora.  Definisani su tehnološki uslovi za izradnju lasera tipa A3B5. /

Обосновано образование кластерной решеточной структуры полупроводниковых кристаллов типа А3В5. Показано, каким образом происходит деформация электронных оболочек атомов составных элементов полупроводниковой кристаллической структуры. На примере кристаллов из соединений индия с элементами пятой группы таблицы Менделеева установлено, между какими энергетическими уровнями реализуется  генерация полупроводникового квантового генератора. Сформулированы требования к технологии изготовления лазеров на основе А3В5.

 

Objavljeno
2014/11/30
Rubrika
Originalni naučni radovi